W-Band Low-Noise-Amplifier MMICs in InGaAs HEMT Technologies on Gallium-Arsenide and Silicon Substrates
Author:
Affiliation:
1. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10600173/10600174/10600410.pdf?arnumber=10600410
Reference13 articles.
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