Highly-Compact 20-mW, 270–320-GHz InGaAs mHEMT Power Amplifier MMIC
Author:
Affiliation:
1. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10600173/10600174/10600274.pdf?arnumber=10600274
Reference18 articles.
1. Limitations and Implementation Strategies of Interstage Matching in a 6-W, 28–38-GHz GaN Power Amplifier MMIC
2. 300 GHz broadband power amplifier with 508 GHz gain-bandwidth product and 8 dBm output power
3. A 6–10 mW Power Amplifier at 290–307.5 GHz in 250 nm InP HBT
4. A 140-GHz 0.25-W PA and a 55-135 GHz 115-135 mW PA, High-Gain, Broadband Power Amplifier MMICs in 250-nm InP HBT
5. Investigation of Compact Power Amplifier Cells at THz Frequencies using InGaAs mHEMT Technology
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