Quantum Mechanical Charge Trap Modeling to Explain BTI at Cryogenic Temperatures

Author:

Michl J.,Grill A.,Claes D.,Rzepa G.,Kaczer B.,Linten D.,Radu I.,Grasser T.,Waltl M.

Publisher

IEEE

Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Ultrafast ID VG Technique for Reliable Cryogenic Device Characterization;IEEE Journal of the Electron Devices Society;2023

2. Linking Room- and Low-Temperature Electrical Performance of MOS Gate Stacks for Cryogenic Applications;IEEE Electron Device Letters;2022-05

3. Efficient Modeling of Charge Trapping at Cryogenic Temperatures—Part II: Experimental;IEEE Transactions on Electron Devices;2021-12

4. CMOS Cryo-Electronics for Quantum Computing;2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM);2020-12-12

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