A D-Band Power Amplifier with Optimized Common-Mode Behaviour Achieving 32Gb/s in 22-nm FD-SOI
Author:
Affiliation:
1. KU Leuven,MICAS,Belgium
Funder
Analog Devices
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10599936/10599927/10600038.pdf?arnumber=10600038
Reference5 articles.
1. A 130-151 GHz 8-Way Power Amplifier with 16.8-17.5 dBm Psat and 11.7-13.4% PAE Using CMOS 45nm RFSOI
2. An 18.6-dBm, 8-Way-Combined D-Band Power Amplifier with 21.6% PAE in 22-nm FD-SOI CMOS
3. A 14.8 dBm 20.3 dB Power Amplifier for D-band Applications in 40 nm CMOS
4. A 111-149-GHz, Compact Power-combined Amplifier With 17.5-dBm $P_{sat}$, 16.5% PAE in 22-nm CMOS FD-SOI
5. A 22nm FD-SOI CMOS 2-way D-band Power Amplifier Achieving PAE of 7.7% at 9.6dBm OP1dB and 3.1% at 6dB Back-off by Leveraging Adaptive Back-Gate Bias Technique
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