High temperature stability embedded ReRAM for 2x nm node and beyond
Author:
Affiliation:
1. Weebit Nano Ltd
2. INSA Lyon, INL, UMR5270,Villeurbanne,France,69621
3. Univ. Grenoble Alpes, Univ. Savoie Mont Blanc, CNRS, Grenoble INO, IMEP-LAHC,Grenoble,France,38000
4. CEA, LETI, MINATEC Campus,GRENOBLE,France
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9779263/9779243/09779293.pdf?arnumber=9779293
Reference25 articles.
1. Stabilizing Schemes for the Minority Failure Bits in Ta2O5-Based ReRAM Macro
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Synaptic metaplasticity with multi-level memristive devices;2023 IEEE 5th International Conference on Artificial Intelligence Circuits and Systems (AICAS);2023-06-11
2. The gap between academia and industry in resistive switching research;Nature Electronics;2023-04-24
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