Data Retention Insights from Joint Analysis on BEOL-Integrated HZO-Based Scaled FeCAPs and 16kbit 1T-1C FeRAM Arrays
Author:
Affiliation:
1. Univ. Grenoble Alpes,CEA-Leti,Grenoble,France,F-38000
2. Aix Marseille Univ, CNRS, IM2NP,Marseille,France
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10529283/10529298/10529427.pdf?arnumber=10529427
Reference16 articles.
1. Ferroelectricity in hafnium oxide thin films
2. SoC Compatible 1T1C FeRAM Memory Array Based on Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2
3. 16kbit HfO2:Si-based 1T-1C FeRAM Arrays Demonstrating High Performance Operation and Solder Reflow Compatibility
4. Reliability Characteristics of Ferroelectric $ \hbox{Si:HfO}_{2}$ Thin Films for Memory Applications
5. Investigation of Imprint in FE-HfO₂ and Its Recovery
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