D-Band Power Amplifier with 27 dBm Peak Output Power and 14.9% PAE in 250-nm InP HBT Technology
Author:
Affiliation:
1. University of California,Santa Barbara,USA
2. Samsung Research America,Plano,TX,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10310176/10310665/10310717.pdf?arnumber=10310717
Reference14 articles.
1. A 200-mW D-band Power Amplifier with 17.8% PAE in 250-nm InP HBT Technology;ahmed;Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC),2021
2. A 140-GHz power amplifier with 20.5 dBm output power and 20.8% PAE in 250-nm InP HBT technology;ahmed;IEEE MTT-S Int Microwave Symp,0
3. A 150–175-GHz 30-dB S 21 Power Amplifier With 125-mW P out and 16.2% PAE Using InP HBT
4. A Compact 140-GHz, 150-mW High-Gain Power Amplifier MMIC in 250-nm InP HBT
5. A 140-GHz 0.25-W PA and a 55-135 GHz 115-135 mW PA, High-Gain, Broadband Power Amplifier MMICs in 250-nm InP HBT
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