Infrared backwards laser melting of a silicon wafer
Author:
Publisher
EDP Sciences
Subject
Condensed Matter Physics,Instrumentation,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Link
http://epjap.epj.org/10.1051/epjap/2015150248/pdf
Reference20 articles.
1. Fairfield J.M., Schwuttke G.H., Solid-State Electron. 11, 1175 (1968)
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3. Werner J.H., Köhler J.R., Esturo-Breton A., Verfahren zur Laserdotierung von Festkörpern mit einem linienfokussierten Laserstrahl, Patent DE102004036220B4, 2004
4. 18.9% efficient full area laser doped silicon solar cell
5. 22.0% Efficient Laser Doped back Contact Solar Cells
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Surface patterning of monocrystalline silicon induced by spot laser melting;Journal of Applied Physics;2018-10-28
2. Boron Partitioning Coefficient above Unity in Laser Crystallized Silicon;Materials;2017-02-16
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