Caractérisation et propriétés physiques des défauts induits dans les transistors MOS submicroniques par injections de porteurs chauds
Author:
Publisher
EDP Sciences
Subject
General Physics and Astronomy,General Engineering
Link
http://jp3.journaldephysique.org/10.1051/jp3:1992159/pdf
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1. Quantitative study of charge trapping in SiO2 during bipolar Fowler–Nordheim injection;Journal of Non-Crystalline Solids;2003-07
2. Characterisation of charge trapping at the Si–SiO2 (100) interface using high-temperature conductance spectroscopy;Microelectronic Engineering;2003-01
3. Effect of defects localised in the oxide of submicrometer NMOS transistor on substrate and drain currents;Microelectronics Journal;1999-01
4. Relation between the leakage currents and the defects created in the oxide and at the interface in a short channel NMOS transistor;Microelectronics Journal;1997-01
5. Etude par pompage de, charge des défauts induits à l'interface Si-SiO2par rayonnements ionisants;Journal de Physique III;1994-09
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