Croissance épitaxique de composés semiconducteurs par évaporation-diffusion en régime isotherme
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Publisher
EDP Sciences
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http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:019660010101100/pdf
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1. Epitaxial Growth of Silicon by Vacuum Sublimation
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1. Barrier Structures on the Basis of Graded-Band-Gap CdHgTe Obtained by Evaporation-Condensation-Diffusion Method;Archives of Metallurgy and Materials;2016-03-01
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3. The first endoscopic retrograde pancreatogram;Surgical Endoscopy;2009-11-13
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