Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique
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Publisher
EDP Sciences
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http://rphysap.journaldephysique.org/10.1051/rphysap:01987002208088500/pdf
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1. Preparation and electrical properties of InPxOygate insulators on InP
2. InP high mobility enhancement MISFETs using anodically grown double-layer gate insulator
3. Electrical and optical characteristics of InP enhancement mode metal/insulator/semiconductor field effect transistors with a novel anodic double-layer gate insulator
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1. Passivation of InP using In(PO3)3‐condensed phosphates: From oxide growth properties to metal‐insulator‐semiconductor field‐effect‐transistor devices;Journal of Applied Physics;1992-03-15
2. Interface Properties of InP ‐ Dielectric Systems;Journal of The Electrochemical Society;1989-05-01
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