Abstract
Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Subject
General Physics and Astronomy
Reference21 articles.
1. 1. A. Brelot, IEEE Trans. Nucl. Sci. 19, 220 (1972).
2. 2. G.D. Watkins, Phys. Rev. B 12, 4383 (1975).
3. 3. G.D. Watkins and J.R. Troxel, Phys. Rev. Lett. 44, 593 (1980).
4. 4. V.V. Neimash, M.G. Sosnin, B.M. Turovskii, V.I. Shakhovtsov, and V.L. Shindich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 16, 901 (1982).
5. 5. B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindström, G. Davies, and J.V. Corbett, Appl. Phys. Lett. 51, 2257 (1987).
Cited by
1 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献