Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі

Abstract

Побудовано теоретичну модель процесу частотної модуляції випромінювання при рекомбінаційному переході між основними станами електрона та дірки в гетероструктурі InAs/GaAs з квантовими точками InAs за допомогою акустичної хвилі. Встановлено характер залежності амплітуди частотної модуляції від частоти акустичної хвилі.