Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію-Reference-Cited by-同舟云学术

Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію

Published:2022-02-17 Issue:1 Volume:56 Page:64
ISSN:2071-0194
Container-title:Ukrainian Journal of Physics
language:
Short-container-title:Ukr. J. Phys.

Author:

Павлик Б.В.,Лис Р.М.,Грипа А.С.,Слободзян Д.П.,Хвищун І.О.,Шикоряк Й.А.,Дідик Р.І.

Abstract

Запропоновано фізичну та математичну моделі процесу радіаційно-стимульованого впорядкування дефектної структурикристалів кремнію. У даній моделі враховано збільшення коефіцієнта дифузії міжвузловинного кремнію в полі дії радіації, зменшення часу життя дефектів при дозах опромінення до 260 Гр. Ефективними стоками дефектів вважали вільні поверхні кристалів, межі поділу фаз, дислокації.

Publisher

National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)

Subject

General Physics and Astronomy

Reference11 articles.

1. 1. T.D. Dzhafarov, Radiation Stimulated Diffusion in Semiconductors (Energoatomizdat, Moscow, 1991) (in Russian).

2. 2. V.S. Vavilov, N.P. Kekelidze, and L.S. Smirnov, Effect of Radiation on Semiconductors (Nauka, Moscow, 1988) (in Russian).

3. 3. O.Yu. Borkovskaya, P.L. Dmitruk, and V.G. Litovchenko, Fiz. Tekhn. Polupr. 23, 207 (1989).

4. 4. I.V. Marchishin, V.N. Ovsyuk, and S.B. Sevastianov, Phys. Stat. Sol. A 106, 153 (1988).

5. 5. B.V. Pavlyk and M.V. Lyshak, Ukr. Fiz. Zh. 51, 275 (2006).