Source mask optimization (SMO) study for high-NA EUV lithography to achieve single patterning on random logic metal
Author:
Publisher
SPIE
Reference9 articles.
1. Exploration of alternative mask for 0.33NA extreme ultraviolet single patterning at pitch 28-nm metal design
2. High NA EUV lithography: Next step in EUV imaging
3. Feasibility of logic metal scaling with 0.55NA EUV single patterning
4. A study of patterning 36nm-pitch logic contact holes in a metal oxide resist using a high-reflectance phase-shifting mask that results in image reversal
5. Image contrast metrology for EUV lithography
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