Multi-step plasma etching process for development of highly photosensitive InSb mid-IR FPAs
Author:
Publisher
SPIE
Reference7 articles.
1. Infrared Detectors;Rogalski,2011
2. Identification of volatile products in low pressure hydrocarbon electron cyclotron resonance reactive ion etching of InP and GaAs
3. Chlorine reactive ion beam etching of InSb and InAs0.15Sb0.85/InSb strained‐layer superlattices
4. Cl2 and SiCl4 Reactive Ion Etching of In‐Based III–V Semiconductors
5. Chemically assisted ion beam etching of InP and InSb using reactive flux of iodine and Ar+ beam
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Development of InSb dry etch for mid-IR applications;Microelectronic Engineering;2016-03
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