Efficient mask characterization through automated contour and corner rounding extraction
Author:
Publisher
SPIE
Reference8 articles.
1. Computational rule-based approach for corner correction of non-Manhattan geometries in mask aligner photolithography
2. Curvilinear masks: an overview
3. Impact of mask corner rounding on pitch 40 nm contact hole variability;Van Look,2021
4. Study of mask corner rounding effects on lithographic patterning for 90-nm technology node and beyond
5. Synopsys S-Metro data sheet: https://www.synopsys.com/silicon/mask-synthesis/s-metro.html
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