Scatterometry-based metrology for the 14nm node double patterning lithography

Author:

Carau D.,Bouyssou R.,Ducoté J.,Dettoni F.,Ostrovsky A.,Le Gratiet B.,Dezauzier C.,Besacier M.,Gourgon C.

Publisher

SPIE

Reference13 articles.

1. Double patterning for 32nm and below: an update;Finders,2008

2. Advanced metrology for the 14 nm node double patterning lithography;Carau,2014

3. Double patterning requirements for optical lithography and prospects for optical extension without double patterning;Hazelton,2008

4. Towards 3nm overlay and critical dimension uniformity: an integrated error budget for double patterning lithography;Arnold,2008

5. Fundamentals of overlay measurement and inspection using scanning electron-microscope;Kato,2013

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