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Secondary electron emission from Si‐implanted GaAs

  • Published:1994-03-14 Issue:11 Volume:64 Page:1404-1406
  • ISSN:0003-6951
  • Container-title:Applied Physics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Appl. Phys. Lett.

Author:

Iwase F.,Nakamura Y.,Furuya S.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Cited by 10 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Applications;Transport of Energetic Electrons in Solids;2023

2. Applications;Transport of Energetic Electrons in Solids;2020

3. Applications;Transport of Energetic Electrons in Solids;2016-12-28

4. Direct observation of dopant distribution in GaAs compound semiconductors using phase-shifting electron holography and Lorentz microscopy;Microscopy;2014-04-04

5. Applications;Transport of Energetic Electrons in Solids;2014
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