Electron energy dissipation model of gate dielectric progressive breakdown in n- and p-channel field effect transistors

Author:

Lombardo S.ORCID,Wu E. Y.,Stathis J. H.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference20 articles.

1. B. Linder , J. H. Stathis , D. J. Frank , S. Lombardo , and A. Vayshenker , IEEE International Reliability Physics Symposium (2003), pp.403–408.

2. F. Monsieur , E. Vincent , D. Roy , S. Bruyere , J. C. Vildeuil , G. Pananakakis , and G. Ghibaudo , IEEE International Reliability Physics Symposium (2002), pp. 45–54.

3. A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks

4. N. Rahim , E. Y. Wu , and D. Misra , IEEE International Reliability Physics Symposium (2011), p. 792.

5. Physical mechanism of progressive breakdown in gate oxides

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