TCAD in CTF parameter study of SOI tunnelling FET using full factorial design

Author:

Teh A. X.,Ong N. R.,Aziz M. H. A.,Alcain J. B.,Haimi W. M. W. N.,Sauli Z.

Publisher

Author(s)

Reference15 articles.

1. Analytical model of the thin-film silicon-on-insulator tunneling field effect transistor

2. A.R. Trivedi, S. Carlo, and S. Mukhopadhyay, Proceedings of the 50th Annual Design Automation Conference on - DAC ’13 (2013).

3. Scaling Length Theory of Double-Gate Interband Tunnel Field-Effect Transistors

4. A. M., N.M. Biju, and R. Komaragiri, 2012 International Conference on Advances in Computing and Communications (2012).

5. TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling model

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