Erratum: “Reply to “A Comment on ‘Atomistic models of vacancy-mediated diffusion in silicon’ ’’ ’’ [J. Appl. Phys.79, 7409 (1996)]
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.365557
Reference7 articles.
1. Reply to ‘‘Comment on ‘Atomistic models of vacancy‐mediated diffusion in silicon’ ’’ [J. Appl. Phys. 78, 2362 (1995)]
2. Enhanced Diffusion of Dopants at Concentrations near the Solubility Limit
3. Theory of Isoconcentration Diffusion in Semiconductors
4. The influence of the solubility limit on acceptor diffusion in III-V compounds
5. Comment on ‘‘Atomistic models of vacancy‐mediated diffusion in silicon’’ [J. Appl. Phys. 78, 2362 (1995)]
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1. Analytical In-Diffusion Profiles of Dopants in Semiconductors;Defect and Diffusion Forum;2000-08
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