Capping layer modulation of composition of GaAs/In0.15Ga0.75As/InXGa1-XAs/GaAs quantum wells and InAs QD’s emission

Author:

Vega-Macotela L. G.,Torchynska T.,Polupan G.,Muñiz-García P. I.

Publisher

Author(s)

Reference17 articles.

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2. Theoretical modeling and experimental characterization of InAs∕InGaAs quantum dots in a well detector

3. T. V. Torchinskaya, Opto-electronics Review, 6 (2), 121–130 (1998).

4. Extremely low room-temperature threshold current density diode lasers using InAs dots in In0.15Ga0.85As quantum well

5. Luminescence quenching in InAs quantum dots

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