Mode of incorporation of phosphorus in Hg0.8Cd0.2Te

Author:

Vydyanath H. R.,Abbott R. C.,Nelson D. A.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

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1. First-Principles Study of Bi-Doping Effects in Hg0.75Cd0.25Te;Molecules;2021-08-11

2. CdTe/Si Composite Substrate and HgCdTe Epitaxy;Technology for Advanced Focal Plane Arrays of HgCdTe and AlGaN;2016

3. Sources of carrier compensation in arsenic-doped HgCdTe;Journal of Physics and Chemistry of Solids;2013-01

4. Electronic properties of the Au impurity in : First-principles study;Physica B: Condensed Matter;2009-01

5. As Doping in (Hg,Cd)Te: An Alternative Point of View;Journal of Electronic Materials;2008-04-23

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