Deep levels associated with α and β dislocations inn‐type InP
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.103472
Reference7 articles.
1. Defect states in plastically deformed n-InP
2. Activité électrique de dislocations induites dans InP dégradé optiquement
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1. Impact of Defects on the Performance of High-Mobility Semiconductor Devices;High Mobility Materials for CMOS Applications;2018
2. Nanoindentation response of compound semiconductors;physica status solidi (c);2007-07
3. Influence of Dislocations onI-V Characteristics of Schottky Diodes Prepared on n-Type 6H-SiC;physica status solidi (b);2000-11
4. Nature of Dislocation-Related Deep Level Defects in CdS;Materials Science Forum;1997-12
5. Mise en évidence des défauts profonds dans des structures MIS : Au-POxNyInz-(n)InP par la methode FTDLTS;Journal de Physique III;1997-02
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