Epitaxial strain relaxation by provoking edge dislocation dipoles

Author:

Soufi A.,El-Hami K.

Publisher

Author(s)

Reference21 articles.

1. The first stage of stress relaxation in tensile strained In1-xGaxAs1-yPyfilms

2. Deformations induced by a Vickers indentor in InP at room temperature

3. A. Chi-Chin Wu, E. Stach and R. Hull “Nanoscale mechanisms of misfit dislocation propagation in undulated Si1-xGex-Si(100) epitaxial thin films”. IOP Publishing journal, Nanotechnology (2007), 18, pp. 165–175.

4. J. P. Hirth, J. Lothe. “Theory of dislocations”. Second edition (1982).

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