A topological analysis of electron transport atn+‐ncontacts
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.324434
Reference7 articles.
1. Microwave Properties of Schottky-barrier Field-effect Transistors
2. Voltage-current characteristics of GaAs J-FET's in the hot electron range
3. On Carrier Accumulation, and the Properties of Certain Semiconductor Junctions†
4. The influence of debye length on the C-V measurement of doping profiles
5. Effect of Carrier Heating on the Diffusion Currents in Space‐Charge‐Limited Current Flow
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. A novel fabrication process and analytical model for Pt/GaAs Schottky barrier mixer diodes;Solid-State Electronics;1994-01
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