Partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) technology: circuit solutions

Author:

Burnett D.

Publisher

Elsevier

Reference38 articles.

1. A 0.2-μm, 1.8-V, SOI, 550-MHz, 64-b PowerPC microprocessor with copper interconnects;Aipperspach;IEEE J. Solid-State Circuits,1999

2. A 0.2μm, 1.8V, SOI, 550MHz, 64b PowerPC microprocessor with copper interconnects;Allen,1999

3. SOI design experiences with Motorola’s high-performance processors;Bearden,2002

4. SOI Circuit Designs Concepts;Bernstein,2002

5. The impact of intrinsic device fluctuations on CMOS SRAM cell stability;Bhavnagarwala;IEEE J. Solid-State Circuits,2001

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