1. S. V. Slobodchikov, Kh. M. Salikhov, and E. V. Russu, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33, 435 (1999) [Semiconductors 33, 421 (1999)].
2. G. A. Il’chuk, S. E. Nikitin, Yu. A. Nikolaev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 38, 1349 (2004) [Semiconductors 38, 1308 (2004)].
3. V. F. Gremenok, G. A. Il’chuk, S. E. Nikitin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 39, 218 (2005) [Semiconductors 39, 202 (2005)].
4. D. M. Bagnal, Y. F. Chen, Z. Zhu, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1038 (1998).
5. A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, M. O. Vorob’ev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35, 725 (2001) [Semiconductors 35, 695 (2001)].