1. B. Hamilton, Semicond. Sci. Technol. 10, 1187 (1995).
2. C. Peng, P. M. Fauchet, J. M. Rehm, et al., Appl. Phys. Lett. 64(10), 1259 (1994).
3. A. A. Lebedev, A. M. Ivanov, A. D. Remenyuk, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 30(1), 188 (1996) [Semiconductors 30, 107 (1996)].
4. V. V. Ushakov, V. A. Dravin, N. N. Mel’nik, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 31(9), 1126 (1997) [Semiconductors 31, 966 (1997)].
5. S. Sen, J. Siejka, A. Savtchouk, et al., Appl. Phys. Lett. 70(17), 2253 (1997).