1. S. Gupta, M. Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. Whittaker, G. A. Mourou, F. W. Smith, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 59, 3276 (1991).
2. M. R. Melloch, J. M. Woodall, E. S. Harmon, N. Otsuka, F. H. Pollak, D. D. Nolte, R. M. Feenstra, and M. A. Lutz, Ann. Rev. Mater. Sci. 25, 547 (1995).
3. V. V. Chaldyshev, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, O. P. Pchelyakov, A. V. Khan, V. G. Kanaev, L. S. Shirokova, A. V. Golikov, V. A. Kagadei, Yu. V. Lilenko, and N. V. Karpovich, Elektron. Promyshl., Nos. 1–2, 154 (1998).
4. N. A. Bert, A. I. Veinger, M. D. Vilisova, S. I. Goloshchapov, I. V. Ivonin, S. V. Kozyrev, A. E. Kunitsyn, L. G. Lavrent’eva, D. I. Lubyshev, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, V. V. Tret’yakov, V. V. Chaldyshev, and M. P. Yakubenya, Phys. Solid State 35, 1289 (1993).
5. L. G. Lavrent’eva, M. D. Vilisova, V. V. Preobrazhenskii, and V. V. Chaldyshev, in Nanotechnologies in Semiconductor Electronics, Ed. by A. L. Aseev (Sib. Otd. RAN, Novosibirsk, 2004) [in Russian].