1. Yu. N. Erokhin, A. G. Ital’yantsev, and V. N. Mordkovich, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 14, 835 (1988) [Sov. Tech. Phys. Lett. 14, 372 (1988)].
2. A. B. Danilin, Yu. N. Erokhin, V. N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, and P. L. F. Hemment, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 69, 268 (1992).
3. M. Yu. Barabanenkov, A. V. Leonov, V. N. Mordkovich, and N. M. Omel’yanovskaya, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 523 (1998) [Semiconductors 32, 466 (1998)].
4. L. C. Kimerling and J. L. Benton, Physica B 116, 297 (1983); A. Kaniava, A. L. P. Rotondaro, J. Vanhellemont, U. Menczigar, and E. Gaubas, Appl. Phys. Lett. 67, 3930 (1995).
5. F. P. Anre and P. M. Mooney, J. Appl. Phys. 55, 984 (1983).