Schottky barrier heights at polar metal/semiconductor interfaces

Author:

Berthod C.,Binggeli N.,Baldereschi A.

Publisher

American Physical Society (APS)

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1. A Novel Approach for Doping Two-Dimensional MOS2 Materials: ZNO Polar Interfacial Charge Transfer Method;2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC);2024-03-17

2. Crystal Interfaces;Semiconductor Physics;2023

3. Crystal Interfaces;Semiconductor Physics;2022

4. Theoretical Insights for Improving the Schottky-Barrier Height at the Ga2O3/Pt Interface;Physical Review Applied;2021-12-28

5. Schottky barrier heights of defect-free metal/ZnO, CdO, MgO, and SrO interfaces;Journal of Applied Physics;2021-05-07

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