Strain relaxation and ambipolar electrical transport in GaAs/InSb core–shell nanowires

Author:

Rieger Torsten12345,Zellekens Patrick12345ORCID,Demarina Natalia62345,Hassan Ali Al7894,Hackemüller Franz Josef12345,Lüth Hans12345,Pietsch Ullrich7894,Schäpers Thomas12345ORCID,Grützmacher Detlev12345ORCID,Lepsa Mihail Ion12346

Affiliation:

1. Peter Grünberg Institute (PGI-9)

2. Forschungszentrum Jülich GmbH

3. 52425 Jülich

4. Germany

5. Jülich Aachen Research Alliance for Fundamentals of Future Information Technology (JARA-FIT)

6. Peter Grünberg Institute (PGI-2)

7. Universität Siegen

8. Festkörperphysik

9. 57068 Siegen

Abstract

The growth, crystal structure, strain relaxation and room temperature transport characteristics of GaAs/InSb core–shell nanowires grown using molecular beam epitaxy are investigated.

Publisher

Royal Society of Chemistry (RSC)

Subject

General Materials Science

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