Composition of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Nanostructures Measured by Atom Probe Tomography and Its Dependence on the Surface Electric Field

Author:

Mancini Lorenzo1,Amirifar Nooshin1,Shinde Deodatta1,Blum Ivan1,Gilbert Matthieu1,Vella Angela1,Vurpillot François1,Lefebvre Williams1,Lardé Rodrigue1,Talbot Etienne1,Pareige Philippe1,Portier Xavier2,Ziani Ahmed2,Davesnne Christian2,Durand Christophe3,Eymery Joël3,Butté Raphaël4,Carlin Jean-François4,Grandjean Nicolas4,Rigutti Lorenzo1

Affiliation:

1. Groupe de Physique des Matériaux, UMR 6634 CNRS, University and INSA of Rouen, Normandie University, 76800 St. Etienne du Rouvray, France

2. CIMAP/CEA, UMR CNRS 6252/ENSICAEN/Université de Caen Basse Normandie, 6, Boulevard Maréchal Juin, 14050 Caen, France

3. CEA/CNRS/Université Joseph Fourier, CEA, INAC, SP2M, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France

4. Institute of Condensed Matter Physics (ICMP), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland

Funder

Agence Nationale de la Recherche

Association des instituts Carnot

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

Surfaces, Coatings and Films,Physical and Theoretical Chemistry,General Energy,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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