Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок
Author:
Publisher
Uspekhi Fizicheskikh Nauk (UFN) Journal
Subject
General Physics and Astronomy
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1. MOLEKULYaRNO-LUChEVAYa EPITAKSIYa TVERDOGO RASTVORA GaPxAs1−x NA VITsINAL'NOY POVERKhNOSTI (001): KINETIChESKAYa MODEL' FORMIROVANIYa SOSTAVA V ANIONNOY PODREShETKE;Журнал экспериментальной и теоретической физики;2024-01-15
2. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures;Crystallography Reports;2022-04
3. Single crystalline Ge thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy (MBE);CrystEngComm;2022
4. GaAs epilayers grown on patterned (001) silicon substrates via suspended Ge layers;Scientific Reports;2019-11-26
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