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Flash lamp annealing of ion-implanted polycrystalline silicon

  • Published:1983-02-16 Issue:2 Volume:75 Page:483-488
  • ISSN:0031-8965
  • Container-title:Physica Status Solidi (a)
  • language:de
  • Short-container-title:Phys. Stat. Sol. (a)

Author:

Kadyrakunov K. B.,Nidaev E. V.,Plotnikov A. E.,Smirnov L. S.,Melnik I. G.,Makeev M. V.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Semiconductor Applications;Flash Lamp Annealing;2019

2. Crystallization, Impurity Diffusion, and Segregation in Polycrystalline Silicon;Rapid Thermal Processing of Semiconductors;1997

3. Raman image study of flash‐lamp annealing of ion‐implanted silicon;Journal of Applied Physics;1995-04
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