Floating-Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide-Semiconductor Transistor
Author:
Publisher
John Wiley & Sons, Inc.
Reference11 articles.
1. A floating gate and its application to memory devices;Kahng;Bell Syst. Tech. J.,1967
2. Memory behavior in a floating-gate avalanche-injection MOS (FAMOS) structure;Frohman-Bentchkowsky;Appl, Phys. Lett.,1971
3. A fully decoded 2048-bit electrically programmable FAMOS read-only memory;Frohman-Bentchkowsky;IEEE J. Solid-State Circuits,1971
4. FAMOS-A new semiconductor charge storage device;Frohman-Bentchkowsky;Solid-State Electron.,1974
5. Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory;Tarui;IEEE J. Solid-State Circuits,1972
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