Bipolar Inversion-Channel Field-Effect Transistor

Author:

Publisher

John Wiley & Sons, Inc.

Reference14 articles.

1. The bipolar inversion channel field-effect transistor (BICFET)-A new field-effect solid-state device: Theory and structures;Taylor;IEEE Trans. Electron Dev.,1985

2. Demonstration of a P-channel GaAs/AlGaAs BICFET;Taylor;IEEE Electron Dev. Lett.,1988

3. A p-channel BICFET in the InGaAs/InAlAs material system;Lebby;IEEE Electron Dev. Lett.,1988

4. Fabrication of a p-channel BICFET in the GexSi1-x/Si system;Taft;Tech. Dig. IEEE IEDM,1988

5. Advanced heterojunction GexSi1-x/Si bipolar devices;Taft;Tech. Digest IEEE IEDM,1989

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