Abstract
AbstractAn Silber mit O‐Chemisorptions‐[(Ag)xO‐], Ag2O‐ und AgO‐Bedeckung werden die Voltaspannungen gegen cine Pt‐Bezugsoberfläche (B) nach der Kondensatormethode [2,3,4] gemessen. Die stationären Endwerte
equation image
sind spezifisch von der Natur der Ag‐Oberflächenschicht, nicht aber von der Art ihrer Herstellung abhängig. Sie sind um gekehrt abgestuft wie die entsprechenden gemessenen Ruhe‐Bezugsspannungen in 1 n KOH
equation image
Aus dem ersten Wert UH,r = 0,06 Volt wird ferner die differentielle Bildungsaffinität einer O‐Chemisorptionsschicht auf Ag bei praktisch vollständiger O‐Bedeckung abgeschätzt zu etwa 17 kcal je Mol O. Während der nicht‐stationären ‐ durch Spuren von H2O katalytisch beschleunigten ‐ Bildung von O‐Chemisorptions‐ und Ag2O‐Schichten auf Ag durch O2‐Gas ändert sich die Voltaspannung meist logarithmisch mit der Einwirkungsdauer des O2.Ag2O‐ und Ago‐Schichten bleiben interessanterweise auch nach stundenlangem Erhitzen bis auf 400°C, trotz hoher Zersetzungsaffinitäten besonders des Ago, teilweise erhalten.