Conductivity and Surface Passivation Properties of Boron‐Doped Poly‐Silicon Passivated Contacts for c‐Si Solar Cells

Author:

Morisset Audrey123ORCID,Cabal Raphaël1,Grange Bernadette1,Marchat Clément23,Alvarez José23,Gueunier‐Farret Marie‐Estelle3,Dubois Sébastien1,Kleider Jean‐Paul23

Affiliation:

1. Laboratory of Homojunction Solar CellsInstitute of Technologies for New Energies (CEA‐Liten)50 avenue du lac Léman73375Le Bourget‐du‐LacFrance

2. Institut Photovoltaïque d'Ile‐de‐France (IPVF)30 RD 12891120PalaiseauFrance

3. Génie électrique et électronique de Paris (GeePs)UMR CNRS 8507; CentraleSupélecUniv. Paris‐Sud, Université Paris‐SaclaySorbonne UniversitésUPMC Univ Paris 06, 11 rue Joliot Curie91192Gif‐sur‐YvetteFrance

Funder

French National Research Agency

Publisher

Wiley

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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