Introduction

Author:

Publisher

John Wiley & Sons, Inc.

Reference64 articles.

1. A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology,;Masuoka;Electron Devices Meeting, 1984 International

2. New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell,;Masuoka;Electron Devices Meeting, 1987 International

3. Shirota , R. Itoh , Y. Nakayama , R. Momodomi , M. Inoue , S. Kirisawa , R. Iwata , Y. Chiba , M. Masuoka , F. New NAND cell for ultra high density 5v-only EEPROMs Digest of Technical Papers-Symposium on VLSI Technology 33 34

4. New device technologies for 5 V-only 4 Mb EEPROM with NAND structure cell,;Momodomi;Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest International

5. An experimental 4 Mb CMOS EEPROM with a NAND structured cell,;Itoh;Solid-State Circuits Conference, 1989. Digest of Technical Papers, 36th ISSCC, 1989 IEEE International

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