Abstract
AbstractIn ungleichmäßig belichteten Photohalbleitern vom Typ ZnS/CdS wird die Ausbreitung von Anregungsenergie vom Absorptionsort zur Meßstelle untersucht. Es werden zwei verschiedenartige Diffusionsvorgänge mit verschieden großen Diffusionslängen beobachtet. Die Messungen zeigen, daß der Energietransport über größere Entfernungen (Diffusionslänge etwa 0,3 cm) nicht durch Elektronen bzw. Defektelektronen aufrechterhalten wird, sondern entweder durch Diffusion von Elektronen‐Loch‐Paaren (Excitonen) oder durch Streuung von Lumineszenzlicht entsteht.