Scrolled Si/SiGe Heterostructures as Building Blocks for Tube-Like Field-Effect Transistors

Author:

Demarina N.,Grützmacher D.

Publisher

John Wiley & Sons, Inc.

Reference6 articles.

1. Extreme scaling with ultra-thin SOI channel MOSFETs;Doris;Tech. Digest IEDM,2002

2. Negative transconductance in double-gate germanium-on-insulator field effect transistors;Zaslavsky;Appl. Phys. Let.,2007

3. Novel nanostructure architectures;Schmidt;Physica E,2004

4. Design and fabrication of a SiGe double quantum well structure for g-factor tuning;Malissa;Superlatt. Microstruct.,2006

5. Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays;Ya. Prinz;Physica E,2000

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