Field effect studies on MIS structures of n-type Pb0.8Sn0.2Te thin films
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference24 articles.
1. High detectivity PbxSn1−xTe photovoltaic diodes
2. Preparation and properties of lead-tin telluride photodiodes
3. Characteristics of tunable Pb1−xSnx Te junction lasers in the 8–12‐μm region
4. Small bandgap lasers and their uses in spectroscopy
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