Second-order nonlinear optical properties in a strained InGaN/AlGaN quantum well under the intense laser field

Author:

Karimi M.J.,Vafaei H.

Funder

Shiraz University of Technology

Publisher

Elsevier BV

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference50 articles.

1. Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation;Piprek,2007

2. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes;Nakamura,2000

3. Band parameters for nitrogen-containing semiconductors;Vurgaftman;J. Appl. Phys.,2003

4. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III–V nitrides;Bernardini;Phys. Rev. B,1997

5. Intersubband absorption in strained AlGaN/GaN double quantum wells;Ha;Physica B,2011

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