Electrical characteristics of MOS capacitor using amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator

Author:

JI Mei,WANG Lei,XIONG Yuhua,DU Jun

Publisher

Elsevier BV

Subject

Geochemistry and Petrology,General Chemistry

Reference12 articles.

1. Semiconductor Industry Association. The International Technology Road-map for Semiconductor, 2007.

2. High ɛ gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for silicon;Kwo;Appl. Phys. Lett.,2000

3. High-K gate dielectrics: Current status and materials properties considerations;Wilk;J. Appl. Phys.,2001

4. High dielectric constant gate oxides for metal oxide Si transistors;Robertson;Rep. Prog. Phys.,2006

5. Maximizing performance for higher K gate dielectrics;Robertson;J. Appl. Phys.,2008

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