Developmental Mechanism for the Memory Effect in Perovskite Oxide-Based ReRAM Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Bulk Single Crystal
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Applied Mathematics
Reference15 articles.
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1. Conduction Mechanisms on High Retention Annealed MgO-based Resistive Switching Memory Devices;Scientific Reports;2018-10-03
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