Détermination théorique des durées de vie des niveaux 3s3p3 dans la séquence isoélectronique de Si I
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference22 articles.
1. Cancellation effects in computed lifetimes of 3s3pn levels for third-row atoms and ions
2. Atomic Oscillator Strengths-I: Neutral Silicon
3. Resonance Transition Probabilities for Third-Row Atoms and Ions (Mgi, Siii-iii, Pii, Piv, Sii-iii, Cliii) Including the Important Correlation Effects
4. Messung der Oszillatorenstärken von SiI-, SiII-und SiIII-Linien im Wellenlangenbereich 1100 — 2600 Å und Vergleich des Vakuum-UV-Strahlungsnormals mit dem Kohlebogen
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