Enhancement of ferroelectricity in chemical-solution-deposited ZrO2 thin films through fine phase transition control
Author:
Funder
National Natural Science Foundation of China
Publisher
Elsevier BV
Reference51 articles.
1. Ferroelectric HfO2-based materials for next-generation ferroelectric memories;Fan;J. Adv. Dielect.,2016
2. An aqueous route to oxygen-deficient wake-up-free La-doped HfO2 ferroelectrics for negative capacitance field effect transistors;Pujar;ACS Nano,2023
3. Doped hafnium oxide – an enabler for ferroelectric field effect transistors;Mikolajick;6th Forum on New Materials - Part C,2014
4. Solid-state memories based on ferroelectric tunnel junctions;Chanthbouala;Nat. Nanotechnol.,2012
5. Ferroelectricity in hafnium oxide thin films;Böscke;Appl. Phys. Lett.,2011
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